Categorii
  • NRF52840-DONGLE

N-MOSFET Tranzistor 30V 100A 125W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 30V 100A 125W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 30V 100A 125W 5x6mm

CSD17576Q5BT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
10,76 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicații electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 125W și dimensiuni compacte de 5x6mm, fiind ideal pentru aplicații cu spațiu limitat. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 2,4mΩ, asigurând o eficiență maximă în circuit. Montarea sa SMD și carcasa VSON-CLIP8 îl fac ușor de integrat în diverse proiecte. Cu un curent de drenaj de 100A și o tensiune drenaj-sursă de 30V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații de putere medie. Tehnologia NexFET™ îi conferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Pentru o funcționare optimă, acest tranzistor N-MOSFET vine într-un subtip de canal îmbogățit și suportă o încărcătură de poartă de 25nC. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile tale electronice.
Detalii ale produsului
463 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD17576Q5BT
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 125W
Montare SMD
Dimensiuni 5x6mm
Carcasă VSON-CLIP8
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 25nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: