Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 800V și poate disipa o putere de până la 125W, făcându-l potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.
Caracteristica sa de elemente semiconductoare protejate împotriva electrostatică (ESD protected gate) îl face ideal pentru aplicații sensibile la descărcări electrostatice. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 3,3A îl fac potrivit pentru aplicații de comutare de putere. Rezistența sa de funcționare de 1,8Ω și tehnologia SuperMesh™ îl fac un tranzistor fiabil și eficient din punct de vedere energetic.
Cu un subtip de canal îmbogățit și un tip de tranzistor N-MOSFET, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații de comutare de putere în medii industriale și comerciale. Montarea sa de tip SMD și carcasa D2PAK îl fac ușor de integrat într-o varietate de aplicații. Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă o flexibilitate sporită în proiectarea circuitelor electronice.