Categorii
  • NRF52840-DONGLE

N-MOSFET 60V 100A 167W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 60V 100A 167W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 60V 100A 167W Tranzistor

IPD034N06N3GATMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
21,62 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 100A 167W PG-TO252-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Cu o putere disipată de 167W și o carcasă PG-TO252-3, acest tranzistor oferă o soluție eficientă și fiabilă pentru proiectele dvs. SMD.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor poate gestiona o gamă largă de cerințe de curent. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 3,4mΩ, acest dispozitiv oferă o performanță excelentă în aplicații cu solicitări ridicate.

Subtipul canalului îmbogățit și tehnologia OptiMOS™ 3 asigură o funcționare optimă și o eficiență sporită. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la tensiune.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 100A 167W PG-TO252-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice care necesită un dispozitiv de înaltă calitate și performanță.
Detalii ale produsului
920 Produse

Fisa tehnica

Referință IPD034N06N3GATMA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 167W
Montare SMD
Carcasă PG-TO252-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS™ 3
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: