Tranzistor N-MOSFET 800V 1.8A 62.5W

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,8A Idm: 3,6A 62,5W de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acesta este montat în format SMD și are o carcasă TO252/DPAK, oferind o putere disipată de 62,5W. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva electrostatică, asigurând o funcționare sigură și fiabilă.

Cu un curent de drenaj în impuls de 3,6A și un curent de drenaj de 1,8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative. Tensiunea drenaj-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V fac acest dispozitiv potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de tensiune.

Rezistența în timpul funcționării de 2,5Ω și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru utilizare în diferite medii de lucru. Cu o încărcătură de poartă de 10,5nC, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dvs. electronice. Fiind un tranzistor unipolar, acesta poate fi polarizat într-un singur mod, facilitând integrarea sa în diverse circuite.

Cu toate aceste caracteristici excelente, acest tranzistor VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice care necesită un dispozitiv puternic și fiabil.