Categorii
Tranzistor N-MOSFET 150V 3,1A 2,5W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 150V 3,1A 2,5W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 150V 3,1A 2,5W SO8

FDS2572
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3,1A; 2,5W; SO8
16,93 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 150V 3,1A 2,5W SO8 de la ONSEMI este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale aplicațiilor dumneavoastră. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 2,5W, o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 150V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 53mΩ și un curent de drenă de 3,1A, acest component este ideal pentru aplicații care necesită o performanță superioară.

Montarea acestui tranzistor se face în tehnologia SMD, iar carcasa SO8 îl face ușor de integrat în diverse tipuri de design. Subtipul canal este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 38nC asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate în utilizare, iar tehnologia UltraFET® garantează o performanță deosebită în aplicațiile dumneavoastră.

Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 150V 3,1A 2,5W SO8 de la ONSEMI, veți beneficia de calitate și fiabilitate superioare, fiind alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
2412 Produse

Fisa tehnica

Referință FDS2572
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,5W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,1A
Tensiune drenă-sursă 150V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 53mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 38nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie UltraFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: