Categorii
  • NRF52840-DONGLE

N-MOSFET Tranzistor 25V 100A 272W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 25V 100A 272W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 25V 100A 272W

PSMN0R9-25YLC.115
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
15,71 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 25V 100A 272W de la NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor este disponibil în diverse ambalaje, inclusiv rolă, bandă și SMD, ceea ce îl face potrivit pentru diferite tipuri de montare. Cu o putere disipată de 272W, acest tranzistor poate gestiona sarcini exigente fără probleme.

Polarizarea unipolară asigură o performanță stabilă și consistentă, în timp ce curentul de drenaj de 100A și tensiunea drenaj-sursă de 25V îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare. Tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate în designul circuitelor, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 2,125mΩ asigură o eficiență ridicată.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 110nC, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Carcasa PowerSO8, LFPAK56 și SOT669 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi și asigură o disipare eficientă a căldurii.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 25V 100A 272W de la NEXPERIA este alegerea perfectă pentru aplicațiile electronice care necesită o putere mare, fiabilitate și performanțe excelente. Alegeți calitatea și fiabilitatea oferite de NEXPERIA pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
1196 Produse

Fisa tehnica

Referință PSMN0R9-25YLC.115
Producător NEXPERIA
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 272W
Montare SMD
Carcasă LFPAK56
PowerSO8
SOT669
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 25V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,125mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 110nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: