Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 125W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 125W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 125W 5x6mm

CSD19531Q5AT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
20,80 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 100A 125W VSONP8 5x6mm de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele complexe ale aplicațiilor moderne.

Caracteristicile sale impresionante includ o putere disipată de 125W, dimensiuni compacte de 5x6mm și o polarizare unipolară. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 5,3mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o fiabilitate superioară.

Cu un curent de drenaj de 100A și o tensiune drenaj-sursă de 100V, tranzistorul N-MOSFET TEXAS INSTRUMENTS poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura poartă de 37nC asigură o funcționare stabilă și precisă într-o varietate de aplicații.

Având un subtip de canal îmbogățit și tehnologia avansată NexFET™, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață. Montarea SMD și carcasa VSONP8 facilitează integrarea în diverse designuri electronice, făcându-l alegerea ideală pentru proiectele dumneavoastră.
Detalii ale produsului
200 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD19531Q5AT
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 125W
Montare SMD
Dimensiuni 5x6mm
Carcasă VSONP8
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 37nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: