Categorii
N-MOSFET Unipolar 60V 110A 230W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 60V 110A 230W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 60V 110A 230W D2PAK

IRFS3306TRLPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
25,07 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 110A Idm: 620A 230W D2PAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată de 230W și un curent de drenă în impuls de 620A, acest tranzistor este ideal pentru dispozitivele care necesită o performanță superioară. Carcasa D2PAK permite o montare ușoară și sigură, asigurând o conexiune stabilă și durabilă.

Tensiunea de drenă-sursă de 60V și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac ca acest tranzistor să fie extrem de versatil și potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 4,2mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o disipare redusă a căldurii.

Subtipul canal îmbogățit și tehnologia HEXFET® asigură o performanță fiabilă și constantă în diverse condiții de funcționare. Acest tranzistor N-MOSFET este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită un nivel înalt de performanță și fiabilitate.
Detalii ale produsului
497 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFS3306TRLPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 230W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
Curent de drenă în impuls 620A
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,2mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: