Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 52A 357W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 52A 357W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 52A 357W D2PAK

FDB52N20TM
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
21,01 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 52A 357W D2PAK de la ONSEMI este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă, și poate fi montat cu ușurință pe placa de circuit integrat folosind tehnologia SMD. Cu o putere disipată impresionantă de 357W, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor de lucru intense.

Carcasa D2PAK oferă o protecție eficientă împotriva supratensiunilor și supracurentilor, asigurând o durată lungă de funcționare a dispozitivului. Polarizarea unipolară a tranzistorului permite o comutare rapidă și precisă a curentului, în timp ce o tensiune drenă-sursă de 200V și o tensiune poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 49mΩ, acest tranzistor N-MOSFET poate gestiona curentul drenă de până la 52A, fiind ideal pentru aplicații industriale și comerciale. În plus, subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 63nC asigură o performanță optimă în diverse condiții de funcționare.

Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI este un produs de încredere, cu o tehnologie avansată UniFET™ care garantează o funcționare impecabilă pe termen lung. Alegeți acest tranzistor pentru proiectele dvs. electronice și beneficiați de performanțe superioare și fiabilitate deosebită.
Detalii ale produsului
409 Produse

Fisa tehnica

Referință FDB52N20TM
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 357W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
Polarizare unipolar
Curent drenă 52A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 49mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 63nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie UniFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: