Tranzistor N-MOSFET 1kV 11A APT1001RSVRG
  • Tranzistor N-MOSFET 1kV 11A APT1001RSVRG
  • Tranzistor N-MOSFET 1kV 11A APT1001RSVRG

Tranzistor N-MOSFET 1kV 11A APT1001RSVRG

APT1001RSVRG
Tranzistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
209,34 lei
cu toate taxele incluse
Livrare in 1-2 zile
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET POWER MOS 5® unipolar 1kV 11A Idm: 44A, APT1001RSVRG de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează prin caracteristicile sale tehnice remarcabile, cum ar fi montarea SMD, carcasa D3PAK și tehnologia POWER MOS 5®.

Cu o putere disipată de 280W, acest tranzistor poate face față unor sarcini de lucru intense. Curentul de drenaj în impuls de 44A și polarizarea unipolară îl fac ideal pentru aplicații de putere mare. De asemenea, curentul de drenaj de 11A și tensiunea drenaj-sursă de 1kV asigură o performanță excelentă în diverse scenarii de utilizare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 1Ω, acest tranzistor oferă o fiabilitate sporită și o durată lungă de viață. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 225nC îl fac potrivit pentru aplicații sensibile la semnal. Tipul de tranzistor N-MOSFET completează lista de caracteristici impresionante ale acestui produs de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
APT1001RSVRG
26 Produse

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Montare
SMD
Carcasă
D3PAK
Putere disipată
280W
Curent de drenă în impuls
44A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
11A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
225nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
POWER MOS 5®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:

Urmariti-ne pe Facebook

group_work