Categorii
N-MOSFET 650V 9.4A 110W DPAK Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 650V 9.4A 110W DPAK Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 650V 9.4A 110W DPAK Tranzistor

STD18N65M5
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9,4A; 110W; DPAK
29,25 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor are o putere disipată de 110W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 650V, oferind o performanță fiabilă și eficientă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,22Ω, acest tranzistor asigură o disipare optimă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Cu caracteristici precum poarta protejată ESD și tehnologia SuperMesh™, acest tranzistor oferă o protecție suplimentară împotriva electrostatică și o performanță superioară în condiții de funcționare variate.

Cu o curent drenă de 9,4A și o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă a semnalului. Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă stabilitate și performanță consistentă în timp.

Montarea SMD și carcasa DPAK fac acest tranzistor ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice, asigurând o instalare simplă și fiabilă. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru o performanță de încredere și o durabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
2001 Produse

Fisa tehnica

Referință STD18N65M5
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 110W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 9,4A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,22Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SuperMesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: