Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 150V 56A 310W D2PAK este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este fabricat de ONSEMI, garantând calitatea și fiabilitatea produsului.
Cu o putere disipată de 310W, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Carcasa D2PAK și montarea SMD îl fac ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Polarizarea unipolară, curentul de drenaj de 56A și tensiunea de drenaj-sursă de 150V îl fac potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 14mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în ceea ce privește conducerea și disiparea energiei. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 82nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare rapidă.
Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench®, asigurând o performanță superioară și o eficiență sporită. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor electronice. În concluzie, tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 150V 56A 310W D2PAK este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o combinație între putere, eficiență și fiabilitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDB2532 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
bandă
rolă |
Putere disipată |
310W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
D2PAK |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
56A |
Tensiune drenă-sursă |
150V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
14mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
82nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
PowerTrench® |
Fisiere asociate
Descarcari