Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET unipolar 850V 14A 460W TO263HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET unipolar 850V 14A 460W TO263HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET unipolar 850V 14A 460W TO263HV

IXFA14N85XHV
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
42,08 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicii. Acest tranzistor impresionant are o tensiune drenă-sursă de 850V și poate disipa o putere de până la 460W, făcându-l ideal pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,55Ω, acest tranzistor asigură o conductivitate optimă și o dissipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la durabilitatea și performanța sa pe termen lung. De asemenea, caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class permit o funcționare stabilă și sigură în diverse condiții de mediu.

Cu un curent de drenaj de 14A și o încărcătură de poartă de 30nC, acest tranzistor oferă o funcționare rapidă și precisă, cu un timp de restabilire de doar 116ns. Subtipul canalului îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită performanță superioară și fiabilitate.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte electronice, oferind o flexibilitate maximă în aplicare. În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar este soluția perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și eficiență energetica.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFA14N85XHV
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 460W
Montare SMD
Carcasă TO263HV
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 14A
Tensiune drenă-sursă 850V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,55Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 30nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 116ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: