Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicii. Acest tranzistor impresionant are o tensiune drenă-sursă de 850V și poate disipa o putere de până la 460W, făcându-l ideal pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,55Ω, acest tranzistor asigură o conductivitate optimă și o dissipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la durabilitatea și performanța sa pe termen lung. De asemenea, caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class permit o funcționare stabilă și sigură în diverse condiții de mediu.
Cu un curent de drenaj de 14A și o încărcătură de poartă de 30nC, acest tranzistor oferă o funcționare rapidă și precisă, cu un timp de restabilire de doar 116ns. Subtipul canalului îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită performanță superioară și fiabilitate.
Cu un subtip de ambalaj tub și montare SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte electronice, oferind o flexibilitate maximă în aplicare. În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar este soluția perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și eficiență energetica.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFA14N85XHV |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
460W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
TO263HV |
Caracteristici elemente semiconductoare |
ultra junction x-class |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
14A |
Tensiune drenă-sursă |
850V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,55Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
30nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
116ns |
Fisiere asociate
Descarcari