Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 11A 50W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 11A 50W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 11A 50W

C3M0280090J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
61,53 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la Wolfspeed (CREE) este un dispozitiv electronic de mare performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în domeniul electronicelor. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 50W, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită o rezistență în timpul funcționării de 0,28Ω.

Cu o tensiune drenă-sursă de 900V și un curent drenă de 11A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini grele cu ușurință. Caracteristicile elementelor semiconductoare, precum terminalul Kelvin și tehnologia SiC, îl fac extrem de eficient și fiabil în funcționare.

Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare într-o varietate de aplicații. Tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -8 și 19V și timpul de restabilire de doar 20ns îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de timp.

Montat în carcasă D2PAK-7 și utilizând tehnologia C3M™, acest tranzistor este soluția perfectă pentru proiectele electronice de înaltă performanță. Cu o încărcătură de poartă de 9,5nC și o montare SMD, acest tranzistor îndeplinește cele mai exigente standarde de calitate. Alege Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la Wolfspeed (CREE) pentru performanță și fiabilitate de top în electronica ta!
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință C3M0280090J
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 50W
Montare SMD
Carcasă D2PAK-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 11A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă -8...19V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,28Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 9,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 20ns
Tehnologie C3M™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: