Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7

C2M1000170J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 5,3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
67,53 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7 20ns de la Wolfspeed (CREE) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în aplicații electronice. Acest tranzistor este montat în tehnologie SMD, având o carcasă D2PAK-7 compactă și eficientă din punct de vedere energetic. Cu o putere disipată de 78W, acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de elemente semiconductoare de tip terminal Kelvin.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor N-MOSFET asigură o funcționare stabilă și fiabilă, iar curentul de drenaj de 5,3A și tensiunea drenaj-sursă de 1,7kV îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -10 și 25V, rezistența în timpul funcționării de 1Ω și subtipul canal îmbogățit contribuie la performanța superioară a acestui tranzistor.

Cu o încărcătură de poartă de 13nC și un timp de restabilire rapid de 20ns, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată SiC și Z-FET™ pentru o funcționare eficientă și fiabilă. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 5,3A 78W D2PAK-7 20ns de la Wolfspeed (CREE) este alegerea perfectă pentru performanțe de vârf.
Detalii ale produsului
47 Produse

Fisa tehnica

Referință C2M1000170J
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 78W
Montare SMD
Carcasă D2PAK-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 5,3A
Tensiune drenă-sursă 1,7kV
Tensiune poartă-sursă -10...25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 13nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 20ns
Tehnologie SiC
Z-FET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: