Descriere
Modulul IGBT diodă/tranzistor semipunte IGBT Urmax: 1,2kV SMT, IXA30PG1200DHGLB de la producătorul IXYS este o soluție inovatoare și eficientă pentru aplicațiile tale electronice. Carcasa SMPD-B oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi și asigură o durabilitate ridicată.
Acest modul IGBT utilizează tehnologia Sonic FRD™, ce garantează performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Topologia semipunte IGBT permite o comutare rapidă și eficientă a semnalului, optimizând astfel consumul de energie.
Cu o montare electrică SMT, acest modul este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Tensiunea inversă maximă de 1.2kV asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.
Structura semiconductorului combină dioda și tranzistorul pentru o funcționare optimă. Cu o putere disipată de 150W și un curent de colector pulsat de 75A, acest modul poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Tensiunea poartă-emitor de ±20V și curentul de colector de 30A asigură o funcționare stabilă și eficientă a dispozitivului. Alege modulul IGBT IXA30PG1200DHGLB pentru performanțe remarcabile și fiabilitate de încredere în aplicațiile tale electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXA30PG1200DHGLB |
Producător |
IXYS |
Putere disipată |
150W |
Tip modul |
IGBT |
Topologie |
semipunte IGBT |
Carcasă |
SMPD-B |
Montare electrică |
SMT |
Tensiune inversă max. |
1,2kV
1.2kV |
Structura semiconductorului |
diodă/tranzistor |
Curent de colector pulsat |
75A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
30A |
Tehnologie |
ISOPLUS™
Sonic FRD™ |
Fisiere asociate
Descarcari