Categorii
  • Nou

Modul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B

VS-GT100DA120UF
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B
445,05 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

121.52 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B este construit pe tehnologia avansată Trench, asigurând performanțe superioare și eficiență ridicată în aplicații de putere. Carcasa robustă SOT227B permite montarea mecanică și electrică prin înşurubare, garantând o fixare solidă și o disipare termică optimă. Structura semiconductorului mono-tranzistor integrată cu diodă anti-paralelă oferă o comutație rapidă și fiabilitate crescută. Dispune de o tensiune maximă inversă de 1,2 kV și un curent de colector nominal de 100A, cu un curent de colector pulsat de până la 240A, răspunzând astfel cerințelor ridicate de sarcină. Tensiunea poartă-emitor suportată este ±20V, asigurând un control precis al comutării. Producătorul VISHAY, recunoscut pentru calitatea componentelor electronice, garantează un modul IGBT durabil și performant, optim pentru utilizatori ce solicită condiții de funcționare exigente și stabilitate în timp.
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință VS-GT100DA120UF
Producător VISHAY
Tip modul IGBT
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Tensiune inversă max. 1,2kV
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de colector pulsat 240A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 100A
Tehnologie Trench
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.