Modul IGBT boost chopper 650V 10A de la STARPOWER SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicațiile de putere înaltă care necesită eficiență și fiabilitate. Proiectat cu o carcasă de tip F1.1, acest modul îmbină tehnologia avansată Trench FS IGBT cu o topologie sofisticată, incluzând punte de diodă trifazată și termistor NTC, ce asigură o gestionare optimă a termicelor și a curentului.
Cu o tensiune inversă maximă de 650V și un curent de colector continuu de 10A, modulul permite rularea eficientă a proceselor electrice exigente, având capacitatea de a gestiona un curent de colector pulsat de până la 20A. Tensiunea poartă-emitor este de ±20V, ceea ce contribuie la stabilitatea și performanța ridicată a dispozitivului.
Montarea electrică se realizează prin tehnologia press-in PCB, iar montarea mecanică se face prin înşurubare, facilitând integrarea ușoară în diverse aplicații. Structura semiconductorului, compusă dintr-o combinație de diode și tranzistori, garantează o operare eficientă și durabilă în condiții variate. Alegeți Modul IGBT boost chopper 650V 10A pentru a îmbunătăți performanțele sistemelor dvs. electrice!