Circuitul integrat de memorie SRAM ISSI de 1Mb oferă o soluție fiabilă și eficientă pentru stocarea datelor în dispozitivele electronice. Acesta este proiectat pentru montare pe suprafață (SMD) și are o carcasă compactă TSOP32, facilitând integrarea în diverse aplicații. Cu o tensiune de lucru de 3,3V, acest IC asigură o performanță optimă și consum redus de energie. Memoria de 1MB SRAM oferă o capacitate generoasă de stocare a datelor, iar tipul de circuit integrat SRAM garantează viteze ridicate de acces. Organizarea memoriei de 128kx8bit și interfața paralelă facilitează transferul rapid al datelor, iar timpul de acces de 55ns asigură o funcționare eficientă și fără întârzieri. Perfect pentru aplicații care necesită o memorie de înaltă performanță, acest IC ISSI este alegerea ideală pentru proiectele electronice exigente.