Categorii
Memorie SRAM 1Mb 3,3V 10ns SOJ32 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie SRAM 1Mb 3,3V 10ns SOJ32 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie SRAM 1Mb 3,3V 10ns SOJ32

IS63LV1024L-10KLI
IC: memorie SRAM; 1MbSRAM; 128kx8bit; 3,3V; 10ns; SOJ32; paralel
22,45 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie SRAM 1MbSRAM 128kx8bit 3,3V 10ns SOJ32 paralel de la ISSI este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest circuit integrat oferă o memorie rapidă și fiabilă de 1MB SRAM, cu o organizare de 128kx8bit. Cu o tensiune de lucru de 3,3V și un timp de acces de doar 10ns, acest IC este ideal pentru proiectele care necesită performanțe ridicate. Cu o temperatură de lucru extinsă de la -40°C până la 85°C, acest IC poate fi utilizat în diverse medii de lucru. Montarea SMD și carcasa SOJ32 fac integrarea acestui IC în designurile dumneavoastră ușoară și convenabilă. Cu interfață paralelă, acest IC oferă o comunicare eficientă și rapidă între dispozitivele dumneavoastră. Alegeți IC: memorie SRAM 1MbSRAM 128kx8bit 3,3V 10ns SOJ32 paralel de la ISSI pentru performanțe excelente și fiabilitate în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință 63LV1024L10KLI
Producător ISSI
Temperatura de lucru -40...85°C
Tensiune de lucru 3,3V
Montare SMD
Carcasă SOJ32
memorie 1MB SRAM
Tip circuit integrat memorie SRAM
Subtip memorie SRAM
Organizare memorie 128kx8bit
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 10ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
8 produse asociate: