Categorii
Memorie SRAM 2Mb 128kx16bit 2,4-3,6V 10ns TSOP44 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie SRAM 2Mb 128kx16bit 2,4-3,6V 10ns TSOP44 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie SRAM 2Mb 128kx16bit 2,4-3,6V 10ns TSOP44 II

IS61WV12816DBLL-10TLI
IC: memorie SRAM; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2,4÷3,6V; 10ns; TSOP44 II
39,23 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Circuitul integrat de memorie SRAM 2Mb 128kx16bit de la producătorul ISSI este o alegere excelentă pentru aplicațiile dvs. electronice. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 85°C, acesta poate funcționa într-o gamă variată de medii. Montarea sa SMD este convenabilă și simplă, iar carcasa TSOP44 II asigură o protecție eficientă împotriva factorilor externi. Cu o tensiune de lucru de 2,4 până la 3,6V, acest circuit integrat de memorie oferă performanțe fiabile și eficiente. Memoria sa de 2Mb SRAM asigură o capacitate optimă de stocare a datelor, iar organizarea de 128kx16bit permite accesul rapid și eficient la informații. Interfața sa paralelă face integrarea sa în proiectele dvs. mai ușoară ca niciodată, iar timpul de acces rapid de 10ns asigură o funcționare fluidă și fără întârzieri. Alegeți acest circuit integrat de memorie SRAM ISSI pentru performanțe de vârf și fiabilitate în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință 61WV12816DBLL10TLI
Producător ISSI
Temperatura de lucru -40...85°C
Tensiune de lucru 2,4...3,6V
Montare SMD
Carcasă TSOP44 II
memorie 2Mb SRAM
Tip circuit integrat memorie SRAM
Subtip memorie SRAM
Organizare memorie 128kx16bit
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 10ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: