Circuitul integrat de memorie SRAM 4Mb 512kx8bit de la ISSI este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o memorie rapidă și eficientă. Temperatura de lucru extinsă, cuprinsă între -40 și 85°C, face ca acest dispozitiv să fie potrivit pentru medii de lucru variate. Montarea SMD și carcasa SOJ36 asigură o integrare ușoară în diverse proiecte electronice. Tensiunea de lucru cuprinsă între 2,4 și 3,6V oferă flexibilitate în utilizare.
Memoria de 4MB SRAM oferă o capacitate generoasă pentru stocarea datelor, iar organizarea de 512kx8bit optimizează accesul rapid la informații. Cu un timp de acces de doar 10ns, acest circuit integrat este extrem de responsiv la cerințele de procesare a datelor. Interfața de tip paralel facilitează comunicarea eficientă cu alte componente din sistem. Cu ISSI ca producător de încredere, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui circuit integrat de memorie SRAM de înaltă performanță.