Categorii
Memorie SRAM 1024kb 128kx8bit 2,5-5,5V 20MHz DIP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie SRAM 1024kb 128kx8bit 2,5-5,5V 20MHz DIP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie SRAM 1024kb 128kx8bit 2,5-5,5V 20MHz DIP8

23LCV1024-I/P
IC: memorie SRAM; 1024kbSRAM; 128kx8bit; 2,5÷5,5V; 20MHz; DIP8
29,77 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie SRAM 1024kbSRAM 128kx8bit 2,5÷5,5V 20MHz DIP8 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este o soluție de înaltă performanță pentru nevoile tale de stocare de date. Cu o temperatură de lucru extinsă cuprinsă între -40 și 85°C, acest circuit integrat poate fi utilizat într-o varietate de medii și aplicații. Montarea sa simplă prin tehnologia THT îl face ușor de integrat în designul tău. Carcasa DIP8 compactă îl face potrivit pentru aplicații cu spațiu limitat.

Tensiunea de lucru flexibilă între 2,5 și 5,5V îl face compatibil cu o gamă largă de surse de alimentare. Interfața SPI și SDI asigură o comunicare rapidă și eficientă cu alte dispozitive. Cu o memorie impresionantă de 1MB SRAM, acest circuit integrat oferă o capacitate de stocare generoasă pentru datele tale.

Tipul de circuit integrat, respectiv memoria SRAM, este ideal pentru aplicațiile care necesită acces rapid la date. Subtipul de memorie NV SRAM asigură o protecție eficientă a datelor. Cu o frecvență de sincronizare de 20MHz, acest circuit integrat oferă performanțe remarcabile.

Organizarea memoriei de 128kx8bit oferă o structură eficientă pentru stocarea datelor. Tipul de interfață serial permite transferul rapid al informațiilor. Caracteristica de back-up a bateriei asigură siguranța datelor în orice situație.

Cu IC: memorie SRAM 1024kbSRAM 128kx8bit 2,5÷5,5V 20MHz DIP8 de la MICROCHIP TECHNOLOGY, vei beneficia de o soluție fiabilă și performantă pentru cerințele tale de stocare de date.
Detalii ale produsului
38 Produse

Fisa tehnica

Referință 23LCV1024-I/P
Producător MICROCHIP TECHNOLOGY
Temperatura de lucru -40...85°C
Tensiune de lucru 2,5...5,5V
Interfaţă SDI
SPI
Montare THT
Carcasă DIP8
memorie 1MB SRAM
Tip circuit integrat memorie SRAM
Subtip memorie NV SRAM
Frecvenţă sincronizare 20MHz
Organizare memorie 128kx8bit
Tip interfaţă serial
Caracteristici circuite integrate back-up baterie
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
18 produse asociate: