Categorii
  • Stoc epuizat
Memorie FLASH 512kb SPI 104MHz 2,3-3,6V SO8 Serial | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie FLASH 512kb SPI 104MHz 2,3-3,6V SO8 Serial | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie FLASH 512kb SPI 104MHz 2,3-3,6V SO8 Serial

IS25LQ512B-JNLE
IC: memorie FLASH; 512kbFLASH; SPI; 104MHz; 2,3÷3,6V; SO8; serial
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Circuitul integrat de memorie FLASH de 512kB de la ISSI este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită o memorie fiabilă și performantă. Cu o temperatură de lucru extinsă de la -40°C până la 105°C, acesta poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucru. Montarea SMD și carcasa SO8 fac ca acest circuit integrat să fie ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Tensiunea de lucru cuprinsă între 2,3V și 3,6V asigură o funcționare eficientă și stabilă. Interfața SPI oferă o comunicare rapidă și simplă între circuitul integrat și controller-ul principal. Cu o frecvență de funcționare de 104MHz, acest circuit integrat oferă performanțe remarcabile în aplicațiile cu cerințe ridicate. Cu tipul de circuit integrat de memorie FLASH și subtipul de memorie NOR Flash, acesta este ideal pentru stocarea și accesarea rapidă a datelor. Fiabilitatea și performanța superioară fac din acest circuit integrat de memorie FLASH o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IS25LQ512B-JNLE
Producător ISSI
Temperatura de lucru -40...105°C
Tensiune de lucru 2,3...3,6V
Interfaţă SPI
Montare SMD
Carcasă SO8
memorie 512kB FLASH
Tip circuit integrat memorie FLASH
Subtip memorie NOR Flash
Frecvenţă funcţionare 104MHz
Tip interfaţă serial
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: