Descriere
Circuitul integrat de memorie FLASH de 512kB de la ISSI este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită o memorie fiabilă și performantă. Cu o temperatură de lucru extinsă de la -40°C până la 105°C, acesta poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucru. Montarea SMD și carcasa SO8 fac ca acest circuit integrat să fie ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Tensiunea de lucru cuprinsă între 2,3V și 3,6V asigură o funcționare eficientă și stabilă. Interfața SPI oferă o comunicare rapidă și simplă între circuitul integrat și controller-ul principal. Cu o frecvență de funcționare de 104MHz, acest circuit integrat oferă performanțe remarcabile în aplicațiile cu cerințe ridicate. Cu tipul de circuit integrat de memorie FLASH și subtipul de memorie NOR Flash, acesta este ideal pentru stocarea și accesarea rapidă a datelor. Fiabilitatea și performanța superioară fac din acest circuit integrat de memorie FLASH o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IS25LQ512B-JNLE |
Producător |
ISSI |
Temperatura de lucru |
-40...105°C |
Tensiune de lucru |
2,3...3,6V |
Interfaţă |
SPI |
Montare |
SMD |
Carcasă |
SO8 |
memorie |
512kB FLASH |
Tip circuit integrat |
memorie FLASH |
Subtip memorie |
NOR Flash |
Frecvenţă funcţionare |
104MHz |
Tip interfaţă |
serial |
Fisiere asociate
Descarcari