Categorii
  • Pachet
Memorie DRAM 512Mb 133MHz 3.3V TSOP54 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 512Mb 133MHz 3.3V TSOP54 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 512Mb 133MHz 3.3V TSOP54 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 512Mb 133MHz 3.3V TSOP54 II

AS4C64M8SC-7TIN
IC: memorie DRAM; 512MbDRAM; 64Mx8bit; 3,3V; 133MHz; TSOP54 II

Acest pachet contine

122,37 lei

In loc de 135,14 lei

Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

40.68 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 512MbDRAM 64Mx8bit 3,3V 133MHz TSOP54 II, AS4C64M8SC-7TIN este un circuit integrat de memorie SDRAM de la producătorul ALLIANCE MEMORY, proiectat pentru montare SMD. Carcasa TSOP54 II și subtipul de ambalaj în tavă fac acest produs ușor de integrat în diverse aplicații. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 85°C, acest circuit integrat este ideal pentru medii de lucru variate. Memoria de 512Mb DRAM și tensiunea de lucru de 3.3V asigură performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Frecvența de sincronizare de 133MHz permite transferuri rapide de date, în timp ce organizarea memoriei de 64Mx8bit optimizează stocarea și accesul la informații. Interfața paralelă facilitează conectarea acestui circuit integrat la alte dispozitive, făcându-l extrem de versatil pentru diferite aplicații electronice.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C64M8SC-7TIN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru -40...85°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3,3V
3.3V
Montare SMD
Carcasă TSOP54 II
memorie 512Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie DDR1
SDRAM
Frecvenţă sincronizare 133MHz
Organizare memorie 64Mx8bit
Tip interfaţă paralel
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: