Memorie DRAM 512Mb 3,3V 143MHz 5,4ns

IC: memorie DRAM 512MbDRAM 8Mx16bitx4 3,3V 143MHz 5,4ns tavă, AS4C32M16SB-7TCN este un produs de la ALLIANCE MEMORY care se remarcă prin montare SMD și tipul circuit integrat de memorie DRAM. Carcasa sa TSOP54 II oferă o protecție optimă, iar subtipul de ambalaj în tavă îl face ușor de manipulat. Cu o temperatură de lucru între 0 și 70°C, această memorie SDRAM de 512Mb DRAM funcționează la o tensiune de lucru de 3,3V. Cu o frecvență de sincronizare de 143MHz și o organizare de memorie de 8Mx16bitx4, acest circuit integrat oferă o performanță ridicată. Interfața sa paralelă și timpul de acces de 5,4ns îl fac ideal pentru aplicații care necesită viteze mari de transfer de date.