Categorii
  • Pachet
Memorie DRAM 512Mb 133MHz 5,4ns 3-3,6V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 512Mb 133MHz 5,4ns 3-3,6V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 512Mb 133MHz 5,4ns 3-3,6V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 512Mb 133MHz 5,4ns 3-3,6V

AS4C16M32SC-7TIN
IC: memorie DRAM; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3,6V; 133MHz; 5,4ns; tavă

Acest pachet contine

137,60 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

44.49 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 512MbDRAM 16Mx32bit 3÷3,6V 133MHz 5,4ns tavă, AS4C16M32SC-7TIN este un circuit integrat de memorie DRAM de la producătorul ALLIANCE MEMORY, ideal pentru montare pe plăci cu montaj pe suprafață (SMD). Acest tip de circuit integrat oferă o memorie de 512Mb DRAM, cu o tensiune de lucru cuprinsă între 3 și 3.6V, și o temperatură de lucru între -40 și 85°C. Cu o frecvență de sincronizare de 133MHz și un timp de acces de 5.4ns, acest produs este perfect pentru aplicații care necesită o memorie rapidă și eficientă. Carcasa TSOP86 II și subtipul de ambalaj în tavă fac acest circuit integrat ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Interfața sa paralelă și organizarea de 16Mx32bit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații care necesită o memorie SDRAM de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C16M32SC-7TIN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru -40...85°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3...3,6V
3...3.6V
Montare SMD
Carcasă TSOP86 II
memorie 512Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie SDRAM
Frecvenţă sincronizare 133MHz
Organizare memorie 16Mx32bit
Tip interfaţă paralel
Timp de acces 5,4ns
5.4ns
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: