Categorii
Memorie DRAM 256Mb 32Mx8bit 3,3V 166MHz TSOP54 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 256Mb 32Mx8bit 3,3V 166MHz TSOP54 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 256Mb 32Mx8bit 3,3V 166MHz TSOP54 II

AS4C32M8SA-6TIN
IC: memorie DRAM; 256MbDRAM; 32Mx8bit; 3,3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II
36,84 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie DRAM 256MbDRAM 32Mx8bit 3,3V 166MHz 5ns TSOP54 II de la ALLIANCE MEMORY este un circuit integrat de memorie DRAM de înaltă performanță, perfect pentru aplicații care necesită o memorie rapidă și fiabilă.

Acest produs are o temperatură de lucru extinsă cuprinsă între -40 și 85°C, ceea ce îl face potrivit pentru medii de lucru variate. Montarea sa SMD îl face ușor de integrat într-o varietate de dispozitive electronice. Carcasa TSOP54 II asigură protecție și durabilitate excelentă.

Cu o tensiune de lucru de 3,3V, acest IC oferă o performanță optimă fără a consuma prea multă energie. Memoria sa de 256Mb DRAM și tipul de circuit integrat de memorie DRAM îl fac ideal pentru aplicații care necesită o memorie de înaltă capacitate și viteză.

Frecvența de sincronizare de 166MHz și organizarea memoriei de 32Mx8bit asigură o transmitere rapidă a datelor, în timp ce timpul de acces de 5ns optimizează performanța sistemului. Cu IC: memorie DRAM 256MbDRAM 32Mx8bit 3,3V 166MHz 5ns TSOP54 II de la ALLIANCE MEMORY, veți beneficia de o memorie de încredere și performantă pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
104 Produse

Fisa tehnica

Referință AS4C32M8SA-6TIN
Producător ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru -40...85°C
Subtip ambalaj tavă
Tensiune de lucru 3,3V
Montare SMD
Carcasă TSOP54 II
memorie 256Mb DRAM
Tip circuit integrat memorie DRAM
Subtip memorie SDRAM
Frecvenţă sincronizare 166MHz
Organizare memorie 32Mx8bit
Timp de acces 5ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: