Categorii
IC: driver; Declanșator poartă IGBT; DIP8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1
  • IC: driver; Declanșator poartă IGBT; DIP8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1

Driver poartă IGBT DIP8 ONSEMI 2÷1A 2÷13,9V

MC33153PG
IC: driver; Declanșator poartă IGBT; DIP8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1
20,12 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Driver poartă IGBT DIP8 ONSEMI 2÷1A 2÷13,9V este soluția ideală pentru controlul eficient al tranzistorilor IGBT în aplicații industriale și comerciale. Proiectat de ONSEMI, acest circuit integrat se montează ușor pe plăci SMD datorită carcasei DIP8. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 105°C, acesta asigură fiabilitate în medii variate. Tensiunea de alimentare de 11...20V DC și tensiunea de ieșire de 2...13,9V permit adaptabilitate în diverse configurații de circuit. Driverul dispune de protecții avansate împotriva scurtcircuitelor (SCP), supracurentului (OCP) și subtensiunii (UVP), garantând o utilizare în siguranță. Cu un curent ieșire de -2...1A și un subtip de ieșire inversor, acesta se dovedește a fi un partener de încredere pentru proiectele tale. Timpul de creștere și cădere a impulsului este de doar 55ns, asigurând performanțe rapide și eficiente. Alege Driverul poartă IGBT DIP8 ONSEMI pentru a-ți optimiza aplicațiile electronice!
Detalii ale produsului
19 Produse

Fisa tehnica

Referință MC33153PG
Producător ONSEMI
Temperatura de lucru -40...105°C
Subtip ambalaj tub
Tensiune alimentare 11...20V DC
Tensiune ieşire 2...13,9V
Protecţie la subtensiune UVP
la supracurent OCP
protecţie împotriva scurtcircuitelor SCP
Montare SMD
Carcasă DIP8
Număr canale 1
Tip circuit integrat driver
Curent ieşire -2...1A
Subtip ieşirii inversor
Subtip circuit integrat Declanșator poartă IGBT
Timpul de creştere a impulsului 55ns
Timp cădere impuls 55ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
24 produse asociate: