Descriere
IC: driver high-/low-side, controler porţi MOSFET SO16 -2÷2A de la RENESAS este un circuit integrat de înaltă performanță, proiectat pentru a oferi o soluție eficientă în controlul dispozitivelor MOSFET. Acesta este ideal pentru aplicații care necesită comutarea rapidă a semnalului între nivelurile high și low.
Subtipul ambalajului în tub asigură o protecție adecvată împotriva factorilor externi, menținând integritatea dispozitivului în orice condiții de mediu. Cu o temperatură de lucru extinsă cuprinsă între -40 și 85°C, acest IC poate fi utilizat într-o varietate de aplicații industriale și comerciale.
Montarea SMD face ca acest driver să fie ușor de integrat în design-urile existente, economisind spațiu și facilitând procesul de producție. Carcasa SO16 îl face compatibil cu majoritatea plăcilor de circuit tipice, asigurând o instalare simplă și rapidă.
Cu o tensiune de alimentare cuprinsă între 4,5 și 18V DC, acest IC poate gestiona un curent de ieșire de până la 2A, oferind o performanță fiabilă și constantă. Subtipul ieșirii ca neinversor și subtipul circuitului integrat ca high-/low-side și controler porți MOSFET evidențiază versatilitatea acestui dispozitiv.
Timpul de creștere a impulsului de 11ns și timpul de cădere a impulsului de 12ns asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului, contribuind la optimizarea performanței sistemului în care este utilizat IC-ul driver high-/low-side, controler porţi MOSFET SO16 -2÷2A de la RENESAS.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
EL7457CSZ |
Producător |
RENESAS |
Temperatura de lucru |
-40...85°C |
Subtip ambalaj |
tub |
Tensiune alimentare |
4,5...18V DC |
Montare |
SMD |
Carcasă |
SO16 |
Număr canale |
4 |
Tip circuit integrat |
driver |
Curent ieşire |
-2...2A |
Subtip ieşirii |
neinversor |
Subtip circuit integrat |
controler porţi MOSFET
high-/low-side |
Timpul de creştere a impulsului |
11ns |
Timp cădere impuls |
12ns |