Categorii
  • Nou
Diodă: redresoare Schottky; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA
  • Diodă: redresoare Schottky; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA
  • Diodă: redresoare Schottky; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA

Diodă redresoare Schottky SiC 600V 12A PG-TO220-2 INFINEON

IDH12SG60C
Diodă: redresoare Schottky; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA
30,30 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Dioda redresoare Schottky SiC 600V 12A PG-TO220-2 de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție avansată pentru aplicații de înaltă performanță ce necesită eficiență ridicată și fiabilitate sporită. Fabricată folosind tehnologia inovatoare CoolSiC™ 3G pe bază de carbura de siliciu (SiC), această diodă oferă o tensiune inversă maximă de 600V și un curent continuu de sarcină de 12A, fiind ideală pentru circuite de redresare și surse de alimentare moderne. Carcasa PG-TO220-2 permite o disipare termică optimă, cu o putere disipată de până la 125W, iar montarea prin tehnologia THT asigură o integrare robustă în plăcile de circuit imprimat. Curentul de scurgere extrem de redus, de doar 1µA, minimizează pierderile de energie în stare de blocare, iar curentul de șoc direct maxim de 59A garantează protecție în condiții tranzitorii. Tensiunea de conducție maximă de 1,8V asigură o eficiență crescută, contribuind la reducerea căldurii generate și la creșterea duratei de viață a componentelor. Structura semiconductorului constă într-o singură diodă Schottky, optimizată pentru performanțe superioare în aplicații industriale și de putere. Acest produs este alegerea ideală pentru inginerii care caută o combinație între tehnologie de ultimă generație și performanțe energetice remarcabile.
Detalii ale produsului
36 Produse

Fisa tehnica

Referință IDH12SG60C
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Tip diodă redresoare Schottky
Carcasă PG-TO220-2
Curent de scurgere 1µA
Tensiune inversă max. 0,6kV
Curent de sarcină 12A
Curent de şoc direct max. 59A
Tensiune conducţie max. 1,8V
Structura semiconductorului o singură diodă
Tehnologie CoolSiC™ 3G
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.