Categorii
  • Stoc epuizat
Diodă Redresoare Schottky SiC 650V 4A 13W TO220FP-2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Diodă Redresoare Schottky SiC 650V 4A 13W TO220FP-2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Diodă Redresoare Schottky SiC 650V 4A 13W TO220FP-2

B1D04065KF
Diodă: redresoare Schottky; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tub
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Dioda redresoare Schottky SiC THT 650V 4A 13W TO220FP-2 tub, fabricată de BASiC SEMICONDUCTOR, este un produs de înaltă calitate perfect pentru a satisface nevoile dumneavoastră de inginerie electronică. Această diodă redresoare este disponibilă într-un subtip de ambalaj tub și se montează cu tehnologia Through Hole Technology (THT) pentru a asigura o instalare simplă și eficientă. Carcasa TO220FP-2 oferă o protecție fiabilă și o durabilitate sporită în diverse aplicații.

Dioda redresoare Schottky este proiectată pentru a oferi o putere disipată de 13W, un curent de scurgere de doar 10µA și o tensiune inversă maximă de 650V, asigurând performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Cu un curent de sarcină de 4A și un curent de șoc direct maxim de 30A, această diodă redresoare poate gestiona sarcini grele fără probleme.

Cu o tensiune de conducție maximă de 1,7V și o structură semiconductorului formată dintr-o singură diodă, această diodă redresoare Schottky SiC oferă o eficiență ridicată și o conductivitate excelentă. Tehnologia avansată SiC asigură performanțe superioare și o durată de viață îndelungată pentru a satisface cerințele dumneavoastră de proiectare electronică. Optați pentru dioda redresoare Schottky SiC THT 650V 4A 13W TO220FP-2 tub și beneficiați de calitate și fiabilitate garantate de BASiC SEMICONDUCTOR.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință B1D04065KF
Producător BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 13W
Montare THT
Tip diodă redresoare Schottky
Carcasă TO220FP-2
Curent de scurgere 10µA
Tensiune inversă max. 650V
Curent de sarcină 4A
Curent de şoc direct max. 30A
Tensiune conducţie max. 1,7V
Structura semiconductorului o singură diodă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: