Descriere
Dioda redresoare Schottky SiC THT 650V 4A 13W TO220FP-2 tub, fabricată de BASiC SEMICONDUCTOR, este un produs de înaltă calitate perfect pentru a satisface nevoile dumneavoastră de inginerie electronică. Această diodă redresoare este disponibilă într-un subtip de ambalaj tub și se montează cu tehnologia Through Hole Technology (THT) pentru a asigura o instalare simplă și eficientă. Carcasa TO220FP-2 oferă o protecție fiabilă și o durabilitate sporită în diverse aplicații.
Dioda redresoare Schottky este proiectată pentru a oferi o putere disipată de 13W, un curent de scurgere de doar 10µA și o tensiune inversă maximă de 650V, asigurând performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Cu un curent de sarcină de 4A și un curent de șoc direct maxim de 30A, această diodă redresoare poate gestiona sarcini grele fără probleme.
Cu o tensiune de conducție maximă de 1,7V și o structură semiconductorului formată dintr-o singură diodă, această diodă redresoare Schottky SiC oferă o eficiență ridicată și o conductivitate excelentă. Tehnologia avansată SiC asigură performanțe superioare și o durată de viață îndelungată pentru a satisface cerințele dumneavoastră de proiectare electronică. Optați pentru dioda redresoare Schottky SiC THT 650V 4A 13W TO220FP-2 tub și beneficiați de calitate și fiabilitate garantate de BASiC SEMICONDUCTOR.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
B1D04065KF |
Producător |
BASiC SEMICONDUCTOR |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
13W |
Montare |
THT |
Tip diodă |
redresoare Schottky |
Carcasă |
TO220FP-2 |
Curent de scurgere |
10µA |
Tensiune inversă max. |
650V |
Curent de sarcină |
4A |
Curent de şoc direct max. |
30A |
Tensiune conducţie max. |
1,7V |
Structura semiconductorului |
o singură diodă |
Tehnologie |
SiC |
Fisiere asociate
Descarcari