Descriere
Diodă: redresoare Schottky SiC THT 650V 10Ax2 TO247-3 tub este un produs de înaltă calitate, fabricat de GeneSiC SEMICONDUCTOR. Acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o funcționare eficientă și fiabilă. Datorită caracteristicilor sale avansate, este potrivit pentru o gamă largă de aplicații industriale și comerciale.
Subtipul ambalajului este un tub THT, care permite o montare ușoară și sigură. Carcasa TO247-3 oferă protecție suplimentară și o disipare eficientă a căldurii, asigurând o durată lungă de viață a dispozitivului. Acest tip de diodă este redresoare Schottky, ceea ce înseamnă că oferă o pierdere de putere redusă și o eficiență crescută.
Dioda are o tensiune inversă maximă de 650V și un curent de sarcină de 10A x2, permițând manipularea unor sarcini mari fără probleme. Curentul maxim de sarcină este de 20A, iar curentul de șoc direct maxim este de 44A. Tensiunea maximă de conducție este de 1,25V, asigurând o funcționare stabilă și eficientă.
Structura semiconductorului este de tip catod comun, cu o structură semiconductor dublă, iar tehnologia utilizată este SiC, ceea ce oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. Dioda: redresoare Schottky SiC THT 650V 10Ax2 TO247-3 tub este alegerea ideală pentru aplicațiile care necesită fiabilitate și performanță de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
GE2X10MPS06D |
Producător |
GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Subtip ambalaj |
tub |
Montare |
THT |
Tip diodă |
redresoare Schottky |
Carcasă |
TO247-3 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
MPS |
Tensiune inversă max. |
650V |
Curent de sarcină |
10A x2 |
Curent de sarcină max. |
20A |
Curent de şoc direct max. |
44A |
Tensiune conducţie max. |
1,25V |
Structura semiconductorului |
catod comun
dublă |
Tehnologie |
SiC |
Fisiere asociate
Descarcari