Categorii
Circuit RTC I2C SRAM 64B 1,8-5,5V SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Circuit RTC I2C SRAM 64B 1,8-5,5V SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Circuit RTC I2C SRAM 64B 1,8-5,5V SO8

MCP79412-I/SN
IC: circuit RTC; I2C; SRAM; 64BSRAM; 1,8÷5,5VDC; SO8
12,98 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Circuitul integrat RTC I2C SRAM 64B 1,8÷5,5VDC SO8 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este o soluție avansată pentru aplicațiile care necesită o memorie non-volatilă. Cu o tensiune de alimentare cuprinsă între 1,8 și 5,5V DC, acest circuit integrat oferă o interfață de comunicație I2C cu o frecvență de 400kHz. Memoria de 64B SRAM asigură stocarea eficientă a datelor, în timp ce caracteristicile integrate EEPROM și EUI-64 adaugă funcționalități suplimentare. Cu un consum redus de curent de doar 3mA în regim de funcționare, acest circuit RTC beneficiază de un consum de menținere a orei de doar 700nA. Cu un format de afișare a orei în format HH și a datei în format YY-MM-DD-dd, acest circuit integrat oferă o soluție completă și eficientă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
143 Produse

Fisa tehnica

Referință MCP79412-I/SN
Format oră HH
Producător MICROCHIP TECHNOLOGY
Tensiune alimentare 1,8...5,5V DC
Interfaţă I2C
Tensiune ieşire -0,6...6,5V
Frecvenţă 400kHz
Montare SMD
Carcasă SO8
memorie 64B SRAM
Tip circuit integrat circuit RTC
Subtip memorie SRAM
Curent alimentare DC 3mA
Caracteristici circuite integrate EEPROM
EUI-64
Format dată YY-MM-DD-dd
Curent de menţinere oră 700nA
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
27 produse asociate: