Categorii
Circuit RTC 3-wire NV SRAM 31BSRAM SO8 2-5.5V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Circuit RTC 3-wire NV SRAM 31BSRAM SO8 2-5.5V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Circuit RTC 3-wire NV SRAM 31BSRAM SO8 2-5.5V

DS1302ZN+
IC: circuit RTC; 3-wire; NV SRAM; 31BSRAM; SO8; 2÷5,5V
24,15 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: circuit RTC 3-wire NV SRAM 31BSRAM SO8 2÷5,5V de la Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) este un circuit integrat de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice complexe. Acesta are o tensiune de lucru cuprinsă între 2 și 5,5V, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă variată de proiecte. Cu o interfață 3-wire, acest IC oferă o conectivitate ușoară și eficientă.

Memoria de 31B SRAM asigură o capacitate generoasă de stocare a datelor, iar subtipul de memorie NV SRAM oferă o protecție suplimentară împotriva pierderii de date. Curentul de alimentare DC de 1,28mA garantează eficiență energetică, în timp ce formatul oră HH și formatul dată YY-MM-DD facilitează interacțiunea cu dispozitivul.

Cu o tensiune de ieșire cuprinsă între 0,4 și 2,4V, acest IC oferă flexibilitate și fiabilitate în funcționare. Curentul de menținere a orei de doar 0,2µA asigură durabilitate și economisire de energie. Carcasa SO8 și montarea SMD fac din acest IC o alegere convenabilă pentru integrare în diverse proiecte electronice. Alegeți IC: circuit RTC 3-wire NV SRAM 31BSRAM SO8 2÷5,5V pentru performanțe de vârf și fiabilitate remarcabilă.
Detalii ale produsului
1073 Produse

Fisa tehnica

Referință DS1302ZN+
Format oră HH
Producător Analog Devices (MAXIM INTEGRATED)
Tensiune de lucru 2...5,5V
Interfaţă 3-wire
Tensiune ieşire 0,4...2,4V
Montare SMD
Carcasă SO8
memorie 31B SRAM
Tip circuit integrat circuit RTC
Subtip memorie NV SRAM
Curent alimentare DC 1,28mA
Format dată YY-MM-DD
Curent de menţinere oră 0,2µA
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
27 produse asociate: