• Nou
STP11N60DM2 | Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP11N60DM2 600V 6,3A MDmesh™ DM2

STP11N60DM2
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A
9,72 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP11N60DM2 600V 6,3A MDmesh™ DM2 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată MDmesh™ DM2, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării și o disipare a puterii de până la 110W.




  • Producător: STMicroelectronics

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 110W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO220-3

  • Curent de drenă în impuls: 40A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 6,3A

  • Tensiune drenă-sursă: 600V

  • Tensiune poartă-sursă: ±25V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,42Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 16,5nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: MDmesh™ DM2



Acest tranzistor este potrivit pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale ce necesită fiabilitate și eficiență energetică ridicată. Carcasa TO220-3 facilitează montarea THT, iar caracteristicile electrice îl recomandă pentru utilizări ce implică tensiuni și curenți mari.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință STP11N60DM2
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 110W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 40A
Polarizare unipolar
Curent drenă 6,3A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,42Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 16,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ DM2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
30 produse asociate: