• Nou
STP110N10F7 | Tranzistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7

STP110N10F7
Tranzistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
22,76 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată STripFET™ F7, care asigură o rezistență scăzută în timpul funcționării de doar 7mΩ și o capacitate mare de disipare a puterii de 150W.




  • Producător: STMicroelectronics

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 150W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO220-3

  • Curent de drenă în impuls: 415A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 76A

  • Tensiune drenă-sursă: 100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 7mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 72nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: STripFET™ F7



Datorită caracteristicilor sale tehnice, tranzistorul STP110N10F7 este potrivit pentru utilizare în circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale care necesită fiabilitate și performanță superioară.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință STP110N10F7
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 415A
Polarizare unipolar
Curent drenă 76A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 72nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie STripFET™ F7
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
30 produse asociate: