• Nou
NDP6060L | Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NDP6060L 60V 48A 100W TO220AB

NDP6060L
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
24,14 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NDP6060L 60V 48A 100W TO220AB este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de 60V și un curent maxim de drenă de 48A, oferind o putere disipată de până la 100W.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 100W

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Carcasă: TO220AB

  • Caracteristici elemente semiconductoare: logic level

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 48A

  • Tensiune drenă-sursă: 60V

  • Tensiune poartă-sursă: ±16V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 40mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 60nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET



Designul său robust și caracteristicile tehnice avansate îl recomandă pentru utilizare în circuite de putere, convertoare DC-DC, drivere de motoare și alte aplicații industriale sau electronice ce necesită fiabilitate și performanță ridicată.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință NDP6060L
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 100W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 48A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 60nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
30 produse asociate: