Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 9.1A 39W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 9.1A 39W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 9.1A 39W IPAK

IRFU120NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,1A; 39W; IPAK
7,71 lei
cu TVA
Livrare in 2-3 zile
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 9,1A 39W IPAK, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare eficientă. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 0,21Ω, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții.

Cu o carcasă IPAK și tehnologie HEXFET®, acest tranzistor este potrivit pentru montare THT și poate suporta o tensiune poartă-sursă de ±20V. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 16,7nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită un control precis al curentului.

Fiind un N-MOSFET de înaltă calitate, acest tranzistor este ideal pentru aplicații în surse de alimentare, convertoare DC-DC, amplificatoare de putere și multe altele. Cu performanțe remarcabile și o construcție durabilă, tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFU120NPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Montare THT
Carcasă IPAK
Putere disipată 39W
Polarizare unipolar
Curent drenă 9,1A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,21Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 16,7nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:

Urmariti-ne pe Facebook