Categorii
IRFB7540PBF | Tranzistor N-MOSFET 60V 80A 160W TO220AB | Producator: INFINEON TECHNOLOGIES | electroni-mag.ro - Componente Electronice
  • IRFB7540PBF | Tranzistor N-MOSFET 60V 80A 160W TO220AB | Producator: INFINEON TECHNOLOGIES | electroni-mag.ro - Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 80A 160W TO220AB

IRFB7540PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB

Livrare prin curier in 2-3 zile

9,90 lei
cu toate taxele incluse
Livrare in 2-3 zile
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații în care este necesar un control precis al curentului și tensiunii. Cu o putere disipată de 160W și o curent drenă de 80A, acest tranzistor este perfect pentru a fi utilizat în diverse proiecte electronice. Carcasa TO220AB asigură o montare ușoară și sigură, iar subtipul ambalajului în tub oferă protecție suplimentară împotriva deteriorării.

Cu o tensiune drenă-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse aplicații. Rezistența în timpul funcționării de 5,1mΩ și subtipul canalului îmbogățit asigură o conductivitate optimă și o eficiență ridicată. Încărcătura poartă de 88nC permite un control precis al poziției tranzistorului.

Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia HEXFET®, ceea ce garantează o durabilitate și fiabilitate deosebită. Cu caracteristici precum polarizare unipolară și montare THT, acest dispozitiv este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice. Optează pentru tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES și beneficiază de performanță și calitate superioare.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFB7540PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Montare THT
Carcasă TO220AB
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 160W
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 88nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:

Urmariti-ne pe Facebook

group_work