• Nou
WMO11N65C4 | Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4,8A; Idm: 19A; 57W

Tranzistor N-MOSFET WAYON WMO11N65C4 650V 19A 57W WMOS™ C4 Unipolar

WMO11N65C4-CYG
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4,8A; Idm: 19A; 57W
6,98 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET WAYON WMO11N65C4 650V 19A 57W WMOS™ C4 Unipolar este un component electronic performant, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de WAYON, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tehnologie avansată WMOS™ C4, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 0,56Ω și o putere disipată maximă de 57W.




  • Producător: WAYON

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Montare: SMD

  • Carcasă: TO252

  • Curent de drenă în impuls: 19A

  • Curent drenă continuu: 4,8A

  • Tensiune drenă-sursă: 650V

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Polarizare: unipolar

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Încărcătură poartă: 2,1nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET



Datorită caracteristicilor sale tehnice, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale, surse de alimentare și circuite de putere ce necesită fiabilitate și performanță superioară. Ambalarea în rolă și bandă facilitează procesul de montare automată în linie de producție.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință WMO11N65C4-CYG
Producător WAYON
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 57W
Montare SMD
Carcasă TO252
Curent de drenă în impuls 19A
Polarizare unipolar
Curent drenă 4,8A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,56Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 2,1nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS™ C4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
15 produse asociate: