• Nou
FQD30N06TM | Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14,3A; Idm: 90,8A; 44W; DPAK

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM 60V 14,3A DPAK

FQD30N06TM
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14,3A; Idm: 90,8A; 44W; DPAK
5,09 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM 60V 14,3A DPAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 60V și un curent de drenă continuu de 14,3A, asigurând o putere disipată de 44W.




  • Producător: ONSEMI

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Curent de drenă în impuls: 90,8A

  • Tensiune poartă-sursă: ±25V

  • Rezistență în timpul funcționării: 45mΩ

  • Încărcătură poartă: 25nC

  • Montare: SMD

  • Carcasă: DPAK

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Polarizare: unipolar



Datorită carcasei DPAK și montării SMD, tranzistorul este potrivit pentru integrarea în circuite compacte și eficiente termic. Performanțele sale îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC și alte aplicații electronice ce necesită control precis al puterii.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință FQD30N06TM
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 44W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Curent de drenă în impuls 90,8A
Polarizare unipolar
Curent drenă 14,3A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 45mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 25nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
12 produse asociate: