• Nou
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 100V 32A STripFET™ F7

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 100V 32A STripFET™ F7

STD45N10F7
Tranzistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
12,10 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 100V 32A STripFET™ F7 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată STripFET™ F7, oferind o rezistență în timpul funcționării de doar 18mΩ, ceea ce asigură pierderi minime și disipare termică optimă.




  • Producător: STMicroelectronics

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 60W

  • Montare: SMD (montare pe suprafață)

  • Carcasă: DPAK

  • Curent de drenă în impuls: 180A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 32A

  • Tensiune drenă-sursă: 100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: STripFET™ F7



Datorită caracteristicilor sale tehnice, tranzistorul STD45N10F7 este potrivit pentru circuite de putere, convertoare DC-DC, control motoare și alte aplicații industriale sau de consum care necesită fiabilitate și performanță superioară.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință STD45N10F7
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 60W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Curent de drenă în impuls 180A
Polarizare unipolar
Curent drenă 32A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 18mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie STripFET™ F7
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
12 produse asociate: