• Nou
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G 60V 10A 60W DPAK

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G 60V 10A 60W DPAK

NTD20N06T4G
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
15,86 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G 60V 10A 60W DPAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 60V și un curent continuu de drenă de 10A, asigurând o putere disipată de până la 60W.




  • Producător: ONSEMI

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Subtip canal: Îmbogățit

  • Curent drenă: 10A

  • Curent de drenă în impuls: 60A

  • Tensiune drenă-sursă: 60V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 37,5mΩ

  • Încărcătură poartă: 21,2nC

  • Putere disipată: 60W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: DPAK

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă



Datorită carcasei DPAK și montării SMD, acest tranzistor este potrivit pentru integrarea în circuite compacte și industriale. Performanțele sale îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC, control motoare și alte aplicații electronice ce necesită fiabilitate și eficiență.

Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință NTD20N06T4G
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 60W
Montare SMD
Carcasă DPAK
Curent de drenă în impuls 60A
Polarizare unipolar
Curent drenă 10A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 37,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 21,2nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
12 produse asociate: