- Nou
- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 lei
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G 60V 10A 60W DPAK
Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G 60V 10A 60W DPAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 60V și un curent continuu de drenă de 10A, asigurând o putere disipată de până la 60W.
- Producător: ONSEMI
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Subtip canal: Îmbogățit
- Curent drenă: 10A
- Curent de drenă în impuls: 60A
- Tensiune drenă-sursă: 60V
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 37,5mΩ
- Încărcătură poartă: 21,2nC
- Putere disipată: 60W
- Montare: SMD
- Carcasă: DPAK
- Subtip ambalaj: rolă, bandă
Datorită carcasei DPAK și montării SMD, acest tranzistor este potrivit pentru integrarea în circuite compacte și industriale. Performanțele sale îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC, control motoare și alte aplicații electronice ce necesită fiabilitate și eficiență.
Fisa tehnica
| Referință | NTD20N06T4G |
| Producător | ONSEMI |
| Subtip ambalaj | bandă rolă |
| Putere disipată | 60W |
| Montare | SMD |
| Carcasă | DPAK |
| Curent de drenă în impuls | 60A |
| Polarizare | unipolar |
| Curent drenă | 10A |
| Tensiune drenă-sursă | 60V |
| Tensiune poartă-sursă | ±20V |
| Rezistenţă în timpul funcţionării | 37,5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Încărcătură poartă | 21,2nC |
| Tip tranzistor | N-MOSFET |