• Nou
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STL260N4F7 40V 120A 188W

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STL260N4F7 40V 120A 188W

STL260N4F7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
17,56 lei / buc
Cantitate
In Stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STL260N4F7 40V 120A 188W este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o carcasă PowerFLAT 5x6, potrivită pentru montare SMD, oferind o disipare a puterii de până la 188W. Cu un curent de drenă nominal de 120A și un curent de drenă în impuls de 480A, asigură o performanță robustă în circuite cu sarcini mari. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 40V, iar tensiunea poartă-sursă suportată este ±20V, garantând o polarizare unipolară stabilă. Rezistența în timpul funcționării este redusă, de doar 1,1mΩ, ceea ce contribuie la eficiența energetică și la minimizarea pierderilor. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 72nC, facilitând un control precis al comutării. Ambalat în rolă și bandă, acest tranzistor este optim pentru integrarea în procese de fabricație automate.

Caracteristici principale:
  • Producător: STMicroelectronics
  • Tip tranzistor: N-MOSFET
  • Putere disipată: 188W
  • Curent drenă: 120A
  • Curent drenă în impuls: 480A
  • Tensiune drenă-sursă: 40V
  • Tensiune poartă-sursă: ±20V
  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 1,1mΩ
  • Subtip canal: îmbogăţit
  • Încărcătură poartă: 72nC
  • Montare: SMD
  • Carcasă: PowerFLAT 5x6
  • Ambalaj: rolă, bandă
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință STL260N4F7
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 188W
Montare SMD
Carcasă PowerFLAT 5x6
Curent de drenă în impuls 480A
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 72nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
9 produse asociate: