Categorii
IRFBC20SPBF | Tranzistor N-MOSFET 600V 1.4A 50W TO263 | Producator: VISHAY | electroni-mag.ro - Componente Electronice
  • IRFBC20SPBF | Tranzistor N-MOSFET 600V 1.4A 50W TO263 | Producator: VISHAY | electroni-mag.ro - Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 1.4A 50W TO263

IRFBC20SPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,4A; 50W; D2PAK,TO263

Livrare prin curier in 2-3 zile

8,46 lei
cu toate taxele incluse
Livrare in 2-3 zile
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 1,4A 50W D2PAK, TO263 este un produs de înaltă calitate fabricat de VISHAY, un producător de renume în industria electronică. Acest tranzistor are o montare SMD, fiind potrivit pentru o varietate de aplicații. Carcasa D2PAK și TO263 oferă o protecție eficientă împotriva factorilor externi, asigurând o durabilitate îndelungată.

Cu o putere disipată de 50W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de putere semnificative. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 1,4A fac din acest dispozitiv o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o performanță fiabilă. Tensiunea de drenaj-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit utilizarea sa în diverse configurații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 4,4Ω, acest tranzistor N-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice. Încărcătura de poartă de 10nC îmbunătățește performanța dispozitivului în condiții de funcționare variabile. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, oferind caracteristici excelente de comutare și control al tensiunii.

Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 1,4A 50W D2PAK, TO263 de la VISHAY, veți beneficia de fiabilitate, durabilitate și performanță superioară pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFBC20SPBF
Producător VISHAY
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Putere disipată 50W
Polarizare unipolar
Curent drenă 1,4A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,4Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 10nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:

Urmariti-ne pe Facebook

group_work